高感度高解像度InGaAs近赤外カメラを開発

【事業概要】
未開拓の波長領域である波長1～2μmの近赤外波長は、目に安全であり、シリコンウェファを透過する優れた透過性を持ち、水や脂質の認識が可能です。この近赤外波長によるセンシング技術は、環境モニタリング、生体認証、無侵襲診断、セキュリティ、異物検査、半導体製造装置など農業、工業および医療分野に様々な応用が期待されています。

当社ではN-well画素分離構造、微細金バンプ接合などの新規技術を適用し、高解像度、高信頼性および広ダイナミックレンジ特性を持つ、USB3vision対応の高感度高解像度InGaAs近赤外カメラを開発しました。
また、当社では、多波長赤外LEDを用いた照明システムも開発しており、生体や材料の分別に用いられるシステムを提供いたします。

波長１μmから２μmのInGaAs近赤外カメラおよびその周辺機器（赤外LED投光器、赤外顕微鏡、色収差補正赤外撮像レンズ）をワンストップサービスで提供いたします。
内部作り付け電界構造（特許取得済）により、解像度が高いのが特徴です。

CTO
小倉 睦郎

可視光よりも長波長（波の間隔が長い）側には、赤外線やテラヘルツ波、電波と呼ばれる電磁波の領域があります。一方、可視光よりも短波長側には、紫外線の他にＸ線やガンマ線が存在しています。
赤外線は近赤外(850～2000nm)、中赤外(2500～5000nm)、遠赤外(5μm～10μm)とさらに細分化されます。
シリコン素子では可視光から近赤外のうちの長波長側(850～900nm)と遠赤外には対応できる素子やそれを応用した検出器がありますが、近赤外のほとんど(900nm～2000nm)と中赤外(2500～5000nm)は未開拓波長領域でした。
私たちはこの未開拓領域であった近赤外(900nm～2000nm)領域を化合物半導体(Si-ROIC)を開発して社会実装可能な「高感度近赤外カメラ」や「赤外マルチスペクトライメージングシステム」を開発し、半導体製造、植物工場、植物異物検査、医療、コスメティックなどを通して社会に貢献していきます。