半導体スイッチ・半導体メモリを同時に置換え可能な不揮発スイッチ「ナノブリッジ」

【事業概要】
NanoBridge(ナノブリッジ) は、印加電圧制御により固体電解質中にナノメートルサイズの金属架橋(ブリッジ)を生成・消滅させることでスイッチのオン・オフ状態を実現する技術です。
繰り返し回路の書き換えが可能で、オン・オフ状態の維持に電力が不要(不揮発性)のため、「低消費電力」であり、さらに「高い放射線耐性」や「温度耐性」を有しており、回路の再構成が可能なためFPGAや半導体スイッチ・半導体メモリをナノブリッジに置き換えることで論理ブロックの面積小型化に最適な技術です。この面積小型化により「低コスト化」にも貢献します。
航空宇宙向けや機器の小型化など、耐放射線性、低消費電力IoT端末への適用に最適な技術です。

【当社の特徴・技術】
NanoBridgeは半導体スイッチと半導体メモリの両者を同時に書き換えることができる新しい不揮発スイッチです。
NanoBridgeには次の4つの特徴(低消費電力、低コスト、放射線耐性、温度耐性)があります。
1.低消費電力：　　半導体メモリや信号線を切り替える半導体スイッチをNanoBridgeで置き換えることで、論理ブロックの面積を小さくでき、低消費電力化が実現できます。

2.低コスト：　　NanoBridgeは、標準ロジックCMOSの製造プロセスにマスクを2枚追加することで製造することができます。NanoBridgeの銅電極には銅配線を用いる構造としているため、銅電極形成の為の製造プロセスが不要という特徴もあります。

3.放射線耐性：　　NanoBridgeは、放射線への耐性も備えています。
　　一般的な半導体では放射線が入線すると、半導体基板中で電荷が発生し、これらが半導体内の電荷を乱して不具合を発生させます。
　　NanoBridgeは物理的な銅架橋の有無によってオンとオフ状態を実現していることから、放射線により発生する電荷によって状態が変化することはありません。

4.温度耐性：　　高温下では、トランジスタのオフ電流が温度に対して指数関数的に変化するのに対して、NanoBridgeのオフ抵抗の変化は小さく抑えられます。そのため、環境温度が高い場合においても待機電力の増大が少ないという利点があります。
　　NanoBridge-FPGAは-50℃から150℃まで正常に動作することを確認しています。

NanoBridgeのオン・オフの仕組みやイメージ、NBFPGAのサイズ感は写真をご参照ください。

代表取締役　CEO
杉林　直彦

当社は、低消費電力・低コスト・放射線耐性・温度耐性に優れたナノブリッジ技術活用半導体をユーザ様に提供させていただくことで、IoT端末の低電力化や耐環境性を高め、社会の隅々までICTを行き渡らせることに貢献したいと思っております。
お客様に耐環境、低電力のナノブリッジ半導体の受託製造、回路IPライセンシングを提供いたします。
是非お気軽にお問い合わせください。